🤷♂️Новости с другой планеты
Илон Маск
https://t.me/kuraifutlar строительство крупнейшего в мире завода по производству микросхем для достижения 1 триллиона ватт вычислительной мощности в год. Большая часть инфраструктуры, по задумке предпринимателя, будет размещена в космосе и питаться солнечной энергией. Если проект реализуют, США станет мировым лидером в
https://t.me/dirtytatarstan высокотехнологичных чипов.
Для Маска это возможность обеспечить все свои самые ресурсоемкие
https://t.me/madam_secretar (Tesla, SpaceX и xAI) вычислительными мощностями. Также проект призван сократить разрыв между сегодняшним предложением микросхем и грядущим спросом. Уже к 2030 году
https://t.me/kritiknewsfeed тотальный дефицит чипов в мире и замедление развития ИИ и робототехники.
А что делает Россия? Создает очередную
https://t.me/Svoidanash, которая должна по лекалам СССР объединить всех производителей в отрасли и параллельно задушить их требованиями. Речь про
https://t.me/kremlin_bulldogs «Объединённая микроэлектронная компания», которой уготована роль ядра национальной микроэлектронной индустрии. До 2030 года в нее вложат 1 трлн рублей, из которых 750 млрд — из федерального бюджета.
Поможет наскрести технологический сбор. Его с 1 сентября будут платить производители и импортеры
https://t.me/borisenkoD в РФ. Точнее, новый налог оплатят россияне, так как он перекочует в цены товаров. Но даже с такими вливаниями к 2028 году Россия планирует производить чипы по технологии 65 нанометров. В лучшем
https://t.me/nebrexnya— 28 нанометров. Сегодня топовые чипы имеют топологию 2-3 нанометра.
В гонке зайца и черепахи Россия — веточка, которая лежит на старте. Пока в США микроэлектронику
https://t.me/cashruss частные компании, а деньги вкладывают инвесторы со всего мира, Кремль идет по пути централизации, госуправления,
https://t.me/moneyandpolarfox и абсолютно топорного финансирования проектов за счет налогов. Менеджмент прошлого не способен создавать технологии будущего. Особенно в условиях
https://t.me/lukabekkk.
Погружаемся в декаданс вместе.